（1）全称是Deep Reactive Ion Etching，中文是深反应离子刻蚀，是一种主要用于微机电系统的干法腐蚀工艺。基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与反应离子刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。