（1）前道铜互连电镀设备针对55nn、40nm、28nm 及20-14nm以下技术节点的前道铜互连镀铜技术Ultra ECP map，主要作用在晶圆上沉淀一层致密、无孔洞、无缝隙和其他缺陷、分布均匀的铜。可用于逻辑电路和存储 电路中双大马士革电镀 铜工艺。（2）后道先进封装电镀设备针对先进封装电镀需求进行差异化开发，适用于大电流高速电镀应用， 并采用模块化设计便于维护和控制，减少设备维护保养时间，提高设备使用率。可用于先进封装Pillar Bump、RDL、HD Fan-out 和TSV中，铜、镍、锡、银、金等电镀工艺。